Vishay Siliconix - SI3552DV-T1-GE3

KEY Part #: K6523065

SI3552DV-T1-GE3 Cenas (USD) [262736gab krājumi]

  • 1 pcs$0.14078
  • 3,000 pcs$0.13247

Daļas numurs:
SI3552DV-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - SCR, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi and Tranzistori - programmējams atvienojums ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SI3552DV-T1-GE3 electronic components. SI3552DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3552DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3552DV-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SI3552DV-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N and P-Channel
FET iezīme : Logic Level Gate
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 1V @ 250µA (Min)
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 3.2nC @ 5V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
Jauda - maks : 1.15W
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Piegādātāja ierīces pakete : 6-TSOP

Jūs varētu arī interesēt
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.