Vishay Siliconix - SIS780DN-T1-GE3

KEY Part #: K6421104

SIS780DN-T1-GE3 Cenas (USD) [348908gab krājumi]

  • 1 pcs$0.10601

Daļas numurs:
SIS780DN-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIS780DN-T1-GE3 electronic components. SIS780DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS780DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS780DN-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIS780DN-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 24.5nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 722pF @ 15V
FET iezīme : Schottky Diode (Body)
Jaudas izkliede (maks.) : 27.7W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® 1212-8
Iepakojums / lieta : PowerPAK® 1212-8