Vishay Siliconix - SQM90142E_GE3

KEY Part #: K6418158

SQM90142E_GE3 Cenas (USD) [53470gab krājumi]

  • 1 pcs$0.73126
  • 800 pcs$0.69323

Daļas numurs:
SQM90142E_GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - SCR - moduļi and Diodes - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SQM90142E_GE3 electronic components. SQM90142E_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM90142E_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM90142E_GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SQM90142E_GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Sērija : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 95A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 85nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 375W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : TO-263 (D²Pak)
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB