SICRD101200TR Cenas (USD) [17120gab krājumi]
- 1 pcs$2.40710
- Daļas numurs:
- SICRD101200TR
- Ražotājs:
- SMC Diode Solutions
- Detalizēts apraksts:
- DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - Zener - Single and Diodes - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in SMC Diode Solutions SICRD101200TR electronic components. SICRD101200TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SICRD101200TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SICRD101200TR Produkta atribūti
Daļas numurs :
SICRD101200TR
Ražotājs :
SMC Diode Solutions
Apraksts :
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Silicon Carbide Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
10A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.8V @ 10A
Ātrums :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
0ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapacitāte @ Vr, F :
640pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Piegādātāja ierīces pakete :
DPAK
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 175°C
Jūs varētu arī interesēt
-
-
-
V12P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12 Amp 120 Volt
-
AS3PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,400V, SMPC STD, Avalanche SM
-
VS-6ESH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V
-
V12P15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
Karstās daļas
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18