Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Strāvas draivera moduļi
  5. GHIS080A120S1-E1

Global Power Technologies Group - GHIS080A120S1-E1

KEY Part #: K6531752

GHIS080A120S1-E1 Cenas (USD) [1633gab krājumi]

  • 1 pcs$26.52187
  • 10 pcs$25.49077
Daļas numurs:
GHIS080A120S1-E1
Ražotājs:
Global Power Technologies Group
Detalizēts apraksts:
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - RF, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - moduļi and Diodes - taisngrieži - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS080A120S1-E1 electronic components. GHIS080A120S1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS080A120S1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A120S1-E1 Produkta atribūti

Daļas numurs : GHIS080A120S1-E1
Ražotājs : Global Power Technologies Group
Apraksts : SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Veids : IGBT
Konfigurācija : 1 Phase
Pašreizējais : 160A
spriegums : 1.2kV
Spriegums - izolācija : 2500Vrms
Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC

Jaunākās ziņas

Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Jūs varētu arī interesēt
  • DZ23C6V2-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C8V2-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 8.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C6V8-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.8Volt 0.3 Watt 5%

  • AZ23C20-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 20V 300MW SOT23. Zener Diodes 20 Volt 0.3W 5% CA

  • DZ23C3V6-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 3.6V 300MW SOT23. Zener Diodes 3.6Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C7V5-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23. Zener Diodes 7.5Volt 0.3 Watt 5%

Karstās daļas