Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi
  5. QJD1210010

Powerex Inc. - QJD1210010

KEY Part #: K6523719

[4071gab krājumi]

    Daļas numurs:
    QJD1210010
    Ražotājs:
    Powerex Inc.
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tiristori - TRIAC ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Powerex Inc. QJD1210010 electronic components. QJD1210010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QJD1210010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    QJD1210010 Produkta atribūti

    Daļas numurs : QJD1210010
    Ražotājs : Powerex Inc.
    Apraksts : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
    Sērija : -
    Daļas statuss : Active
    FET tips : 2 N-Channel (Dual)
    FET iezīme : Silicon Carbide (SiC)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 100A, 20V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 10mA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 500nC @ 20V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 800V
    Jauda - maks : 1080W
    Darbības temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)
    Montāžas tips : Chassis Mount
    Iepakojums / lieta : Module
    Piegādātāja ierīces pakete : Module
    Jūs varētu arī interesēt
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Karstās daļas