Infineon Technologies - IPG20N06S2L50ATMA1

KEY Part #: K6525310

IPG20N06S2L50ATMA1 Cenas (USD) [185072gab krājumi]

  • 1 pcs$0.19985
  • 5,000 pcs$0.19037

Daļas numurs:
IPG20N06S2L50ATMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - TRIAC, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - JFET and Tiristori - SCR - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1 electronic components. IPG20N06S2L50ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S2L50ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N06S2L50ATMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPG20N06S2L50ATMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Sērija : OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : 2 N-Channel (Dual)
FET iezīme : Logic Level Gate
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 55V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2V @ 19µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 17nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V
Jauda - maks : 51W
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 8-PowerVDFN
Piegādātāja ierīces pakete : PG-TDSON-8-4