Daļas numurs :
TK31A60W,S4VX
Ražotājs :
Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts :
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
30.8A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3.7V @ 1.5mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
86nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
FET iezīme :
Super Junction
Jaudas izkliede (maks.) :
45W (Tc)
Darbības temperatūra :
150°C (TJ)
Montāžas tips :
Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-220SIS
Iepakojums / lieta :
TO-220-3 Full Pack