Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV29-400HE3/45

KEY Part #: K6445882

BYV29-400HE3/45 Cenas (USD) [7294gab krājumi]

  • 1,000 pcs$0.24294

Daļas numurs:
BYV29-400HE3/45
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristori - SCR and Diodes - Zener - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYV29-400HE3/45 electronic components. BYV29-400HE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV29-400HE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV29-400HE3/45 Produkta atribūti

Daļas numurs : BYV29-400HE3/45
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Sērija : -
Daļas statuss : Obsolete
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 8A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 8A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : TO-220-2
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AC
Darba temperatūra - krustojums : -40°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-8EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns

  • VS-6EWL06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns

  • VS-8EWF12STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-15EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns

  • VS-8EWS08STR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • MBR1650-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.