Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. 1N6629US

Microsemi Corporation - 1N6629US

KEY Part #: K6444273

[2506gab krājumi]

    Daļas numurs:
    1N6629US
    Ražotājs:
    Microsemi Corporation
    Detalizēts apraksts:
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tiristori - TRIAC ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Microsemi Corporation 1N6629US electronic components. 1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N6629US Produkta atribūti

    Daļas numurs : 1N6629US
    Ražotājs : Microsemi Corporation
    Apraksts : DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
    Sērija : -
    Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key
    Diodes tips : Standard
    Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 880V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1.4A
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
    Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 2µA @ 880V
    Kapacitāte @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : SQ-MELF, A
    Piegādātāja ierīces pakete : A-MELF
    Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 150°C

    Jaunākās ziņas

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Jūs varētu arī interesēt
    • DB3Y313KEL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • SCS120KGC

      Rohm Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diodes Mounting

    • SCS220KGHRC

      Rohm Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 1200V 20A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

    • RFUS10TF4S

      Rohm Semiconductor

      DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SWITCH 600V 10A 3PIN 3+TAB

    • LSIC2SD120E30CC

      Littelfuse Inc.

      SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode

    Karstās daļas