Vishay Siliconix - SIHH100N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6417057

SIHH100N60E-T1-GE3 Cenas (USD) [24266gab krājumi]

  • 1 pcs$1.69839

Daļas numurs:
SIHH100N60E-T1-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH100N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH100N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH100N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH100N60E-T1-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIHH100N60E-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X
Sērija : E
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 53nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 174W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® 8 x 8
Iepakojums / lieta : 8-PowerTDFN

Jūs varētu arī interesēt
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.