Global Power Technologies Group - GHIS040A120S-A1

KEY Part #: K6532682

GHIS040A120S-A1 Cenas (USD) [2220gab krājumi]

  • 1 pcs$19.50956
  • 10 pcs$18.24244
  • 25 pcs$16.87153
  • 100 pcs$15.81706
  • 250 pcs$14.76259

Daļas numurs:
GHIS040A120S-A1
Ražotājs:
Global Power Technologies Group
Detalizēts apraksts:
IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - IGBT - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS040A120S-A1 electronic components. GHIS040A120S-A1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS040A120S-A1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS040A120S-A1 Produkta atribūti

Daļas numurs : GHIS040A120S-A1
Ražotājs : Global Power Technologies Group
Apraksts : IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Single
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 80A
Jauda - maks : 480W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.6V @ 15V, 40A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 1mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 5.15nF @ 30V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-227

Jūs varētu arī interesēt
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.