Diodes Incorporated - DMN95H8D5HCT

KEY Part #: K6397775

DMN95H8D5HCT Cenas (USD) [64054gab krājumi]

  • 1 pcs$0.58116
  • 50 pcs$0.46359
  • 100 pcs$0.40564
  • 500 pcs$0.29757
  • 1,000 pcs$0.23493

Daļas numurs:
DMN95H8D5HCT
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - JFET and Tranzistori - IGBT - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated DMN95H8D5HCT electronic components. DMN95H8D5HCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN95H8D5HCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN95H8D5HCT Produkta atribūti

Daļas numurs : DMN95H8D5HCT
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 950V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 125W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AB
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.