Vishay Siliconix - SI4511DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524094

[3946gab krājumi]


    Daļas numurs:
    SI4511DY-T1-GE3
    Ražotājs:
    Vishay Siliconix
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - Zener - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - DIAC, SIDAC, Tiristori - SCR - moduļi and Diodes - taisngrieži - vienreizēji ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4511DY-T1-GE3 electronic components. SI4511DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4511DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4511DY-T1-GE3 Produkta atribūti

    Daļas numurs : SI4511DY-T1-GE3
    Ražotājs : Vishay Siliconix
    Apraksts : MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
    Sērija : TrenchFET®
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N and P-Channel
    FET iezīme : Logic Level Gate
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 20V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 7.2A, 4.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 1.8V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Jauda - maks : 1.1W
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Piegādātāja ierīces pakete : 8-SO