Microsemi Corporation - APTM50DAM17G

KEY Part #: K6396580

APTM50DAM17G Cenas (USD) [772gab krājumi]

  • 1 pcs$60.39860
  • 100 pcs$60.09811

Daļas numurs:
APTM50DAM17G
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 500V 180A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APTM50DAM17G electronic components. APTM50DAM17G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM50DAM17G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM50DAM17G Produkta atribūti

Daļas numurs : APTM50DAM17G
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : MOSFET N-CH 500V 180A SP6
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 500V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 10mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 560nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 1250W (Tc)
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SP6
Iepakojums / lieta : SP6

Jūs varētu arī interesēt
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.