Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG1S3HBAI6

KEY Part #: K939728

TC58BYG1S3HBAI6 Cenas (USD) [26323gab krājumi]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850
  • 250 pcs$0.91770
  • 500 pcs$0.91428

Daļas numurs:
TC58BYG1S3HBAI6
Ražotājs:
Toshiba Memory America, Inc.
Detalizēts apraksts:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Datu iegūšana - analogie digitālajiem pārveidotāji, PMIC - maiņstrāvas līdzstrāvas pārveidotāji, bezsa, PMIC - sprieguma regulatori - lineārā regulatora k, PMIC - Apgaismojums, balasta kontrolieri, PMIC - V / F un F / V pārveidotāji, Loģika - vārti un invertori, Saskarne - kontrolieri and Pulkstenis / laiks - pulksteņi reālā laikā ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI6 electronic components. TC58BYG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG1S3HBAI6 Produkta atribūti

Daļas numurs : TC58BYG1S3HBAI6
Ražotājs : Toshiba Memory America, Inc.
Apraksts : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Sērija : Benand™
Daļas statuss : Active
Atmiņas tips : Non-Volatile
Atmiņas formāts : FLASH
Tehnoloģijas : FLASH - NAND (SLC)
Atmiņas lielums : 2Gb (256M x 8)
Pulksteņa frekvence : -
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse : 25ns
Piekļuves laiks : 25ns
Atmiņas interfeiss : Parallel
Spriegums - padeve : 1.7V ~ 1.95V
Darbības temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 67-VFBGA
Piegādātāja ierīces pakete : 67-VFBGA (6.5x8)

Jūs varētu arī interesēt
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM