Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3GHE3/57T

KEY Part #: K6446344

[1797gab krājumi]


    Daļas numurs:
    ES3GHE3/57T
    Ražotājs:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detalizēts apraksts:
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tiristori - SCR - moduļi and Tranzistori - IGBT - vienvietīgi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3GHE3/57T electronic components. ES3GHE3/57T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3GHE3/57T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES3GHE3/57T Produkta atribūti

    Daļas numurs : ES3GHE3/57T
    Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Apraksts : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    Diodes tips : Standard
    Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 400V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
    Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 400V
    Kapacitāte @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
    Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
    Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

    Jūs varētu arī interesēt
    • MMBD1202

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • MMBD4148-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • P600M-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 1000 Volt 400 Amp IFSM

    • P600J-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 600 Volt 400 Amp IFSM

    • EGL34GHE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • EGL34FHE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.