S29GL512S11DHI010 Cenas (USD) [16028gab krājumi]
- 1 pcs$3.55725
- 260 pcs$3.53955
- Daļas numurs:
- S29GL512S11DHI010
- Ražotājs:
- Cypress Semiconductor Corp
- Detalizēts apraksts:
- IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash 512 MBIT 3V 110NS Parallel NOR Flash
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Iegulti - CPLD (sarežģītas programmējamas loģiskās, Loģika - skaitītāji, dalītāji, Datu iegūšana - skārienekrāna kontrolleri, PMIC - sprieguma regulatori - lineāra + komutācija, PMIC - termiskā vadība, Saskarne - UART (universālais asinhronā uztvērēja , Pulkstenis / laiks - pulksteņa buferi, draiveri and Iegulti - mikrokontrolleri - specifiski lietojumi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512S11DHI010 electronic components. S29GL512S11DHI010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512S11DHI010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL512S11DHI010 Produkta atribūti
Daļas numurs :
S29GL512S11DHI010
Ražotājs :
Cypress Semiconductor Corp
Apraksts :
IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
Sērija :
GL-S
Daļas statuss :
Active
Atmiņas tips :
Non-Volatile
Atmiņas formāts :
FLASH
Tehnoloģijas :
FLASH - NOR
Atmiņas lielums :
512Mb (32M x 16)
Pulksteņa frekvence :
-
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse :
60ns
Piekļuves laiks :
110ns
Atmiņas interfeiss :
Parallel
Spriegums - padeve :
2.7V ~ 3.6V
Darbības temperatūra :
-40°C ~ 85°C (TA)
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
64-LBGA
Piegādātāja ierīces pakete :
64-FBGA (9x9)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Karstās daļas
- CY7C09289V-9AXIT
- AT27BV040-12JU
- MT46V32M16TG-75E:C TR
- MT46V32M16TG-6T:F TR
- AT93C46-10PU-1.8
- MT46V8M16TG-6T:D TR
- AT49BV001NT-12JC
- AT28C64X-25JI
- NM27C010N150
- 93LC56CT-I/SN15KVAO
- W25Q128BVEJP
- AS4C128M32MD2-18BIN
- MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
- MT53D4DANY-DC TR
- EDY4016AABG-DR-F-R TR
- S34MS01G200TFA000
- IS66WV51216DBLL-70BLI-TR
- MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR
- MT46H128M32L2MC-5 WT:B
- MTFC16GJVEC-IT TR
- DS1245YL-70
- MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
- M29W128GL70N6F TR
- S29GL256N11FFVR22
- CY7C1472BV33-200BZCT
- IDT71T75902S75PF8
- IDT71T75902S75BGGI
- 71342SA45J
- 71342LA25PF8
- 70V9079S7PF
- 70V07S35PF8
- 70T3599S133DR
- 7006S25J8
- IS42S32800D-7TL-TR
- M58WR064ET70ZB6T
- CY7C0832V-133AXI
- AT24C16BN-SH-T
- S29GL256P10FFIS12
- CY62148DV30LL-55SXIT
- S25FS064SAGMFI011