Daļas numurs :
SPB04N60C3ATMA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
650V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3.9V @ 200µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
25nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 25V
Jaudas izkliede (maks.) :
50W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PG-TO263-3-2
Iepakojums / lieta :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB