Microsemi Corporation - 1N5811TR

KEY Part #: K6451676

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - RF, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5811TR electronic components. 1N5811TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5811TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : 1N5811TR

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Standard

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 150V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 6A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A

Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 30ns

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 150V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Through Hole

Iepakojums / lieta : B, Axial

Piegādātāja ierīces pakete : -

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt

VS-50WQ10FNTR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
30WQ10FNTR

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.
8EWS08S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK.
8EWF06S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.
8EWF06STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.
8EWF02S

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK.

Karstās daļas