Diodes Incorporated - ZXMN10A11GTA

KEY Part #: K6407572

ZXMN10A11GTA Cenas (USD) [257918gab krājumi]

  • 1 pcs$0.14341
  • 1,000 pcs$0.12877

Daļas numurs:
ZXMN10A11GTA
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - SCR, Strāvas draivera moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA electronic components. ZXMN10A11GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A11GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A11GTA Produkta atribūti

Daļas numurs : ZXMN10A11GTA
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 5.4nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 274pF @ 50V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 2W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-223
Iepakojums / lieta : TO-261-4, TO-261AA

Jūs varētu arī interesēt
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8729TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.