Daļas numurs :
IPL60R2K1C6SATMA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
MOSFET N-CH 8TSON
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3.5V @ 60µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
6.7nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
Jaudas izkliede (maks.) :
21.6W (Tc)
Darbības temperatūra :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
Thin-PAK (5x6)
Iepakojums / lieta :
8-PowerTDFN