BYG10JHE3_A/I Cenas (USD) [618118gab krājumi]
- 1 pcs$0.05984
- 7,500 pcs$0.05471
- Daļas numurs:
- BYG10JHE3_A/I
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,600V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10JHE3_A/I electronic components. BYG10JHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10JHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10JHE3_A/I Produkta atribūti
Daļas numurs :
BYG10JHE3_A/I
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Avalanche
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1.5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.15V @ 1.5A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
4µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
1µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-214AC, SMA
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-214AC (SMA)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
-
SD103BW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM
Karstās daļas
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18