MUR360S M6G Cenas (USD) [693520gab krājumi]
- 1 pcs$0.05333
- Daļas numurs:
- MUR360S M6G
- Ražotājs:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - Zener - Single, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Diodes - taisngrieži - masīvi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MUR360S M6G electronic components. MUR360S M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR360S M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MUR360S M6G Produkta atribūti
Daļas numurs :
MUR360S M6G
Ražotājs :
Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Sērija :
-
Daļas statuss :
Not For New Designs
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 3A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
10µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-214AB, SMC
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-214AB (SMC)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM07-400-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt
-
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns
-
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
Karstās daļas
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54