Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3GHE3_A/H

KEY Part #: K6442903

ES3GHE3_A/H Cenas (USD) [209688gab krājumi]

  • 1 pcs$0.17639
  • 1,700 pcs$0.13289

Daļas numurs:
ES3GHE3_A/H
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB. Rectifiers 400 Volt 3.0A 35ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - JFET, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - RF, Tiristori - SCR and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3GHE3_A/H electronic components. ES3GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3GHE3_A/H Produkta atribūti

Daļas numurs : ES3GHE3_A/H
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Sērija : Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-8EWS16STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.