Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi
  5. ALD1101PAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD1101PAL

KEY Part #: K6522788

ALD1101PAL Cenas (USD) [15034gab krājumi]

  • 1 pcs$1.71432
  • 10 pcs$1.53011
  • 100 pcs$1.25463
  • 500 pcs$0.96385
  • 1,000 pcs$0.81289
Daļas numurs:
ALD1101PAL
Ražotājs:
Advanced Linear Devices Inc.
Detalizēts apraksts:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - JFET, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Tiristori - SCR - moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD1101PAL electronic components. ALD1101PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD1101PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD1101PAL Produkta atribūti

Daļas numurs : ALD1101PAL
Ražotājs : Advanced Linear Devices Inc.
Apraksts : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET iezīme : Standard
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 10.6V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 1V @ 10µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
Jauda - maks : 500mW
Darbības temperatūra : 0°C ~ 70°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Piegādātāja ierīces pakete : 8-PDIP

Jaunākās ziņas

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
Jūs varētu arī interesēt
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

Karstās daļas