STMicroelectronics - A1P25S12M3

KEY Part #: K6532521

A1P25S12M3 Cenas (USD) [2428gab krājumi]

  • 1 pcs$17.83705

Daļas numurs:
A1P25S12M3
Ražotājs:
STMicroelectronics
Detalizēts apraksts:
IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK1.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - Zener - Single, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - tilta taisngrieži and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in STMicroelectronics A1P25S12M3 electronic components. A1P25S12M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A1P25S12M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A1P25S12M3 Produkta atribūti

Daļas numurs : A1P25S12M3
Ražotājs : STMicroelectronics
Apraksts : IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK1
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Three Phase Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 25A
Jauda - maks : 197W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 25A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 100µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 1550pF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : ACEPACK™ 1

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.