Infineon Technologies - DF200R12KE3HOSA1

KEY Part #: K6534514

DF200R12KE3HOSA1 Cenas (USD) [992gab krājumi]

  • 1 pcs$46.80541

Daļas numurs:
DF200R12KE3HOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - IGBT - Masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1 electronic components. DF200R12KE3HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12KE3HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12KE3HOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : DF200R12KE3HOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : -
Konfigurācija : Single
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : -
Jauda - maks : 1040W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 5mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -40°C ~ 125°C
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module