Microsemi Corporation - APTGT50H60T1G

KEY Part #: K6533086

APTGT50H60T1G Cenas (USD) [2475gab krājumi]

  • 1 pcs$17.50148
  • 100 pcs$17.08326

Daļas numurs:
APTGT50H60T1G
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tiristori - TRIAC, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T1G electronic components. APTGT50H60T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60T1G Produkta atribūti

Daļas numurs : APTGT50H60T1G
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Full Bridge Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 600V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 80A
Jauda - maks : 176W
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 250µA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SP1
Piegādātāja ierīces pakete : SP1