ON Semiconductor - FQD6N60CTM

KEY Part #: K6407922

[7959gab krājumi]


    Daļas numurs:
    FQD6N60CTM
    Ražotājs:
    ON Semiconductor
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - JFET and Diodes - taisngrieži - masīvi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in ON Semiconductor FQD6N60CTM electronic components. FQD6N60CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD6N60CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD6N60CTM Produkta atribūti

    Daļas numurs : FQD6N60CTM
    Ražotājs : ON Semiconductor
    Apraksts : MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    Sērija : QFET®
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 20nC @ 10V
    VG (maksimāli) : ±30V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 810pF @ 25V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 80W (Tc)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Piegādātāja ierīces pakete : D-Pak
    Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63