BYG24GHM3_A/I Cenas (USD) [521591gab krājumi]
- 1 pcs$0.07091
- 15,000 pcs$0.06167
- Daļas numurs:
- BYG24GHM3_A/I
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,400V,140nS AVAL AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - tilta taisngrieži, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG24GHM3_A/I electronic components. BYG24GHM3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG24GHM3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG24GHM3_A/I Produkta atribūti
Daļas numurs :
BYG24GHM3_A/I
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Avalanche
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
400V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1.5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 1.5A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
140ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
1µA @ 400V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
DO-214AC, SMA
Piegādātāja ierīces pakete :
DO-214AC (SMA)
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
-
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
-
1N4454-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Rectifiers Vr/100V Io/10mA
-
1N4454-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/100V Io/10mA
-
SD101C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 40 Volt 2A IFSM
Karstās daļas
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G