D1050N12TXPSA1 Cenas (USD) [898gab krājumi]
- 1 pcs$51.71377
- Daļas numurs:
- D1050N12TXPSA1
- Ražotājs:
- Infineon Technologies
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Infineon Technologies D1050N12TXPSA1 electronic components. D1050N12TXPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for D1050N12TXPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
D1050N12TXPSA1 Produkta atribūti
Daļas numurs :
D1050N12TXPSA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
DIODE GEN PURP 1.2KV 1050A
Sērija :
-
Daļas statuss :
Last Time Buy
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1050A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1000A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
60mA @ 1200V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Chassis Mount
Iepakojums / lieta :
DO-200AB, B-PUK
Piegādātāja ierīces pakete :
-
Darba temperatūra - krustojums :
-40°C ~ 180°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
-
RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
-
CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
-
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt
Karstās daļas
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T