IXYS - IXTQ200N10T

KEY Part #: K6396583

IXTQ200N10T Cenas (USD) [16611gab krājumi]

  • 1 pcs$2.72793
  • 10 pcs$2.43619
  • 100 pcs$1.99752
  • 500 pcs$1.61748
  • 1,000 pcs$1.36414

Daļas numurs:
IXTQ200N10T
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - RF, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tiristori - SCR ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXTQ200N10T electronic components. IXTQ200N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ200N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ200N10T Produkta atribūti

Daļas numurs : IXTQ200N10T
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Sērija : TrenchMV™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 152nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 9400pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 550W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-3P
Iepakojums / lieta : TO-3P-3, SC-65-3

Jūs varētu arī interesēt
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.