Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. 1N5809US

Microsemi Corporation - 1N5809US

KEY Part #: K6426619

1N5809US Cenas (USD) [8275gab krājumi]

  • 1 pcs$4.97550
  • 10 pcs$4.47707
  • 25 pcs$4.07894
  • 100 pcs$3.68108
  • 250 pcs$3.38260
  • 500 pcs$3.08413
Daļas numurs:
1N5809US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5809US electronic components. 1N5809US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5809US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5809US Produkta atribūti

Daļas numurs : 1N5809US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 100V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 30ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 100V
Kapacitāte @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, B
Piegādātāja ierīces pakete : B, SQ-MELF
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • NRVTSA4100T3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 4A 100V SMA-2. Schottky Diodes & Rectifiers AUTO STANDARD OF NTS

  • NRVBS360BT3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMB. Schottky Diodes & Rectifiers 3A 60V SCHOTTKY SMB

  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • RS1BB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 100V

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V

Karstās daļas