Infineon Technologies - IPB048N15N5ATMA1

KEY Part #: K6417102

IPB048N15N5ATMA1 Cenas (USD) [24884gab krājumi]

  • 1 pcs$1.65619
  • 1,000 pcs$1.57569

Daļas numurs:
IPB048N15N5ATMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - TRIAC, Diodes - RF, Tranzistori - JFET, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPB048N15N5ATMA1 electronic components. IPB048N15N5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB048N15N5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB048N15N5ATMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPB048N15N5ATMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Sērija : OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 150V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4.6V @ 264µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 100nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 75V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 300W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PG-TO263-3
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Jūs varētu arī interesēt
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.