Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - masīvi
  5. MSRT200160(A)

GeneSiC Semiconductor - MSRT200160(A)

KEY Part #: K6469969

MSRT200160(A) Cenas (USD) [1958gab krājumi]

  • 1 pcs$23.10929
  • 25 pcs$22.99432
Daļas numurs:
MSRT200160(A)
Ražotājs:
GeneSiC Semiconductor
Detalizēts apraksts:
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A) electronic components. MSRT200160(A) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT200160(A), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT200160(A) Produkta atribūti

Daļas numurs : MSRT200160(A)
Ražotājs : GeneSiC Semiconductor
Apraksts : DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes konfigurācija : 1 Pair Common Cathode
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1600V
Pašreizējais - vidēji rektificēts (Io) (par diodi) : 200A (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 200A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 600V
Darba temperatūra - krustojums : -
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Three Tower
Piegādātāja ierīces pakete : Three Tower
Jūs varētu arī interesēt
  • RB550EATR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TSMD5. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 30V 0.7A 5PIN SMD

  • UMR12NTN

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6. Diodes - General Purpose, Power, Switching SW 80V 200MA

  • RB541XNTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY SMLL SIG 30V.1A3PIN

  • RB731XNTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V UMD6. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER

  • UMN20NTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SWITCHING 80V 0.1A 6PIN UMD

  • TBAV99,LM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Speed Switching Diode

Karstās daļas