Diodes Incorporated - DMNH6008SCTQ

KEY Part #: K6397782

DMNH6008SCTQ Cenas (USD) [43097gab krājumi]

  • 1 pcs$0.85711
  • 50 pcs$0.68986
  • 100 pcs$0.62088
  • 500 pcs$0.48291
  • 1,000 pcs$0.40012

Daļas numurs:
DMNH6008SCTQ
Ražotājs:
Diodes Incorporated
Detalizēts apraksts:
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Diodes Incorporated DMNH6008SCTQ electronic components. DMNH6008SCTQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH6008SCTQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMNH6008SCTQ Produkta atribūti

Daļas numurs : DMNH6008SCTQ
Ražotājs : Diodes Incorporated
Apraksts : MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
Sērija : Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 130A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 21nC @ 10V
VG (maksimāli) : 20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 2596pF @ 30V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 210W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AB
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.