Toshiba Semiconductor and Storage - RN1112(T5L,F,T)

KEY Part #: K6527868

[2688gab krājumi]


    Daļas numurs:
    RN1112(T5L,F,T)
    Ražotājs:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detalizēts apraksts:
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - īpašam nolūkam and Diodes - RF ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(T5L,F,T) electronic components. RN1112(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1112(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1112(T5L,F,T) Produkta atribūti

    Daļas numurs : RN1112(T5L,F,T)
    Ražotājs : Toshiba Semiconductor and Storage
    Apraksts : TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    Tranzistora tips : NPN - Pre-Biased
    Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 100mA
    Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 50V
    Rezistors - pamatne (R1) : 22 kOhms
    Rezistors - emitētāja pamatne (R2) : -
    Līdzstrāvas pastiprinājums (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
    Vce piesātinājums (maksimums) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 100nA (ICBO)
    Biežums - pāreja : 250MHz
    Jauda - maks : 100mW
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : SC-75, SOT-416
    Piegādātāja ierīces pakete : SSM

    Jūs varētu arī interesēt