Daļas numurs :
TPW1R005PL,L1Q
Ražotājs :
Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
45V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
2.4V @ 1mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
122nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
9600pF @ 22.5V
Jaudas izkliede (maks.) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
Darbības temperatūra :
175°C
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
8-DSOP Advance
Iepakojums / lieta :
8-PowerVDFN