NXP USA Inc. - PHK4NQ20T,518

KEY Part #: K6400247

[3463gab krājumi]


    Daļas numurs:
    PHK4NQ20T,518
    Ražotājs:
    NXP USA Inc.
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - Zener - masīvi, Diodes - RF, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tiristori - DIAC, SIDAC and Strāvas draivera moduļi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in NXP USA Inc. PHK4NQ20T,518 electronic components. PHK4NQ20T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHK4NQ20T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHK4NQ20T,518 Produkta atribūti

    Daļas numurs : PHK4NQ20T,518
    Ražotājs : NXP USA Inc.
    Apraksts : MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
    Sērija : TrenchMOS™
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 200V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 1mA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 26nC @ 10V
    VG (maksimāli) : ±20V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1230pF @ 25V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 6.25W (Tc)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Piegādātāja ierīces pakete : 8-SO
    Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)