Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - masīvi
  5. CDBGBSC201200-G

Comchip Technology - CDBGBSC201200-G

KEY Part #: K6470411

CDBGBSC201200-G Cenas (USD) [6888gab krājumi]

  • 1 pcs$5.98205
Daļas numurs:
CDBGBSC201200-G
Ražotājs:
Comchip Technology
Detalizēts apraksts:
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER. Schottky Diodes & Rectifiers DUAL SiC POWER SCHOTTKY 20A 1200V
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Strāvas draivera moduļi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - SCR, Tranzistori - JFET and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Comchip Technology CDBGBSC201200-G electronic components. CDBGBSC201200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBGBSC201200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBGBSC201200-G Produkta atribūti

Daļas numurs : CDBGBSC201200-G
Ražotājs : Comchip Technology
Apraksts : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes konfigurācija : 1 Pair Common Cathode
Diodes tips : Silicon Carbide Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1200V
Pašreizējais - vidēji rektificēts (Io) (par diodi) : 25.9A (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Ātrums : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 0ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100µA @ 1200V
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 175°C
Montāžas tips : Through Hole
Iepakojums / lieta : TO-247-3
Piegādātāja ierīces pakete : TO-247

Jaunākās ziņas

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Jūs varētu arī interesēt
  • MBR20100CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220.

  • MBR2040CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V, 20A

  • MBR20150CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY RECT 20A 150V

  • MBR2030CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30V, 20A

  • 1SS309(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 85V, 200mW

  • 1SS308(TE85L,F

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode

Karstās daļas