Vishay Siliconix - SUP60030E-GE3

KEY Part #: K6398829

SUP60030E-GE3 Cenas (USD) [26720gab krājumi]

  • 1 pcs$1.49397
  • 10 pcs$1.33312
  • 100 pcs$1.03710
  • 500 pcs$0.83980
  • 1,000 pcs$0.70826

Daļas numurs:
SUP60030E-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - JFET, Tiristori - TRIAC, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SUP60030E-GE3 electronic components. SUP60030E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP60030E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP60030E-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SUP60030E-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Sērija : TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 80V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 141nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 7910pF @ 40V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 375W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-220AB
Iepakojums / lieta : TO-220-3

Jūs varētu arī interesēt
  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • R5013ANXFU6

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM.

  • R6007KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM.

  • R5021ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 21A TO220.