Ražotājs :
GeneSiC Semiconductor
Apraksts :
DIODE GEN PURP 200V 50A TO249AB
Diodes konfigurācija :
1 Pair Common Cathode
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji rektificēts (Io) (par diodi) :
50A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1V @ 50A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
60ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
25µA @ 200V
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Montāžas tips :
Chassis Mount
Iepakojums / lieta :
TO-249AB
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-249AB