Vishay Siliconix - IRFP23N50L

KEY Part #: K6413779

[12983gab krājumi]


    Daļas numurs:
    IRFP23N50L
    Ražotājs:
    Vishay Siliconix
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - JFET, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - SCR and Diodes - RF ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Siliconix IRFP23N50L electronic components. IRFP23N50L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP23N50L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFP23N50L Produkta atribūti

    Daļas numurs : IRFP23N50L
    Ražotājs : Vishay Siliconix
    Apraksts : MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 500V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 150nC @ 10V
    VG (maksimāli) : ±30V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 25V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 370W (Tc)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Through Hole
    Piegādātāja ierīces pakete : TO-247-3
    Iepakojums / lieta : TO-247-3

    Jūs varētu arī interesēt
    • IRF5805

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • IRF5804

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5803

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5806

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

    • ZVN2110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.