Global Power Technologies Group - GP1M008A080H

KEY Part #: K6402618

[2642gab krājumi]


    Daļas numurs:
    GP1M008A080H
    Ražotājs:
    Global Power Technologies Group
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N-CH 800V 8A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tiristori - SCR ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M008A080H electronic components. GP1M008A080H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M008A080H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M008A080H Produkta atribūti

    Daļas numurs : GP1M008A080H
    Ražotājs : Global Power Technologies Group
    Apraksts : MOSFET N-CH 800V 8A TO220
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 800V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 46nC @ 10V
    VG (maksimāli) : ±30V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1921pF @ 25V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 250W (Tc)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Through Hole
    Piegādātāja ierīces pakete : TO-220
    Iepakojums / lieta : TO-220-3

    Jūs varētu arī interesēt
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.