Vishay Siliconix - IRFD123PBF

KEY Part #: K6392921

IRFD123PBF Cenas (USD) [151819gab krājumi]

  • 1 pcs$0.64387
  • 10 pcs$0.57029
  • 100 pcs$0.45071
  • 500 pcs$0.33064
  • 1,000 pcs$0.26103

Daļas numurs:
IRFD123PBF
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD123PBF electronic components. IRFD123PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD123PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD123PBF Produkta atribūti

Daļas numurs : IRFD123PBF
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 16nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 1.3W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Iepakojums / lieta : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Jūs varētu arī interesēt