IXYS - IXTM40N30

KEY Part #: K6400888

[3241gab krājumi]


    Daļas numurs:
    IXTM40N30
    Ražotājs:
    IXYS
    Detalizēts apraksts:
    POWER MOSFET TO-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - RF, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - Zener - masīvi, Strāvas draivera moduļi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam and Tiristori - SCR - moduļi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in IXYS IXTM40N30 electronic components. IXTM40N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM40N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM40N30 Produkta atribūti

    Daļas numurs : IXTM40N30
    Ražotājs : IXYS
    Apraksts : POWER MOSFET TO-3
    Sērija : GigaMOS™
    Daļas statuss : Last Time Buy
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 300V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 220nC @ 10V
    VG (maksimāli) : ±20V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 300W (Tc)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Through Hole
    Piegādātāja ierīces pakete : TO-204AE
    Iepakojums / lieta : TO-204AE

    Jūs varētu arī interesēt
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • FDD8444-F085P

      ON Semiconductor

      NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.

    • FDD4243-F085P

      ON Semiconductor

      PMOS DPAK 40V 44 MOHM.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.