Daļas numurs :
SIHU6N62E-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
620V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
34nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
578pF @ 100V
Jaudas izkliede (maks.) :
78W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete :
IPAK (TO-251)
Iepakojums / lieta :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA