Keystone Electronics - 775

KEY Part #: K7359542

775 Cenas (USD) [102769gab krājumi]

  • 1 pcs$0.45155
  • 10 pcs$0.28278
  • 50 pcs$0.25510
  • 100 pcs$0.24398
  • 250 pcs$0.22180
  • 1,000 pcs$0.19480
  • 2,500 pcs$0.16635
  • 5,000 pcs$0.15526

Daļas numurs:
775
Ražotājs:
Keystone Electronics
Detalizēts apraksts:
ANTI-VIBRATE GROMMET. Screws & Fasteners GROMMET .319 BLK ANTI VIBR 6-32 RND
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Caurumu spraudņi, Eņģes, Knobs, Klipši, pakaramie, āķi, Dažādi, DIN dzelzceļa kanāls, Valde atbalsta and Bamperi, kājas, paliktņi, rokturi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Keystone Electronics 775 electronic components. 775 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 775, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

775 Produkta atribūti

Daļas numurs : 775
Ražotājs : Keystone Electronics
Apraksts : ANTI-VIBRATE GROMMET
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Skrūves izmērs : #6-32
Galvas diametrs : 0.551" (14.00mm)
Montāžas urbuma diametrs : 0.375" (9.53mm) 3/8"
Galvas augstums : -
Materiāls : Rubber
Krāsa : Black

Jūs varētu arī interesēt
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.