Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. JAN1N5417US

Microsemi Corporation - JAN1N5417US

KEY Part #: K6427644

JAN1N5417US Cenas (USD) [7063gab krājumi]

  • 1 pcs$5.86387
  • 100 pcs$5.83469
Daļas numurs:
JAN1N5417US
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tiristori - TRIAC and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5417US electronic components. JAN1N5417US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5417US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5417US Produkta atribūti

Daļas numurs : JAN1N5417US
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Sērija : Military, MIL-PRF-19500/411
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 150ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 1µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : SQ-MELF, B
Piegādātāja ierīces pakete : B, SQ-MELF
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

Karstās daļas